<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss version="2.0"
	xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
	xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
	xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
	xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
	xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
	xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>

<channel>
	<title>OpticsToday - каталог статей. Научные статьи и публикации &#187; Фізика твердого тіла</title>
	<atom:link href="http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/feed" rel="self" type="application/rss+xml" />
	<link>http://www.opticstoday.com</link>
	<description>OpticsToday - каталог статей и научный блог и  для студентов, преподавателей и ученых.</description>
	<lastBuildDate>Sat, 29 Oct 2011 22:55:39 +0000</lastBuildDate>
	<language>en</language>
	<sy:updatePeriod>hourly</sy:updatePeriod>
	<sy:updateFrequency>1</sy:updateFrequency>
	<generator>http://wordpress.org/?v=3.3.1</generator>
		<item>
		<title>Ефект холла в напівпровідниках</title>
		<link>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/efekt-xolla-v-napivprovidnikax.html</link>
		<comments>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/efekt-xolla-v-napivprovidnikax.html#comments</comments>
		<pubDate>Wed, 14 Apr 2010 17:58:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>OpticsToday</dc:creator>
				<category><![CDATA[Фізика твердого тіла]]></category>

		<guid isPermaLink="false">http://www.OpticsToday.com/efekt-xolla-v-napivprovidnikax.html</guid>
		<description><![CDATA[Сукупна дія магнітного і електричного полів істотно ускладнює картину руху носіїв струму в провідних тілах порівняно з дією лише електричного поля. Якщо в другому випадку має місце їх направлений рух — дрейф — з швидкістю, пропорційною , то в першому випадку на дрейфовий рух накладається рух під дією сили Лоренца. У цьому випадку виникають гальваномагнітні [...]]]></description>
		<wfw:commentRss>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/efekt-xolla-v-napivprovidnikax.html/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
		<item>
		<title>Дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації</title>
		<link>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/doslidzhennya-temperaturnoi-zalezhnosti-elektroprovidnosti-napivprovidnikiv-i-viznachennya-energii-aktivacii.html</link>
		<comments>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/doslidzhennya-temperaturnoi-zalezhnosti-elektroprovidnosti-napivprovidnikiv-i-viznachennya-energii-aktivacii.html#comments</comments>
		<pubDate>Tue, 13 Apr 2010 17:53:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>OpticsToday</dc:creator>
				<category><![CDATA[Фізика твердого тіла]]></category>

		<guid isPermaLink="false">http://www.OpticsToday.com/doslidzhennya-temperaturno%d1%97-zalezhnosti-elektroprovidnosti-napivprovidnikiv-i-viznachennya-energi%d1%97-aktivaci%d1%97.html</guid>
		<description><![CDATA[При відсутності зовнішніх полів носії струму в тілах, які проводять струм, перебувають лише в тепловому русі Якщо ж зразок провідного тіла розмістити в зовнішньому полі Е, то характер руху носіїв зміниться, поряд з тепловим рухом виникне направлений рух позитивних зарядів поля і негативних зарядів — проти напрямку поля. Таке переміщення електричних зарядів під дією електричного [...]]]></description>
		<wfw:commentRss>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/doslidzhennya-temperaturnoi-zalezhnosti-elektroprovidnosti-napivprovidnikiv-i-viznachennya-energii-aktivacii.html/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>1</slash:comments>
		</item>
		<item>
		<title>Рентгеноспектральний аналіз</title>
		<link>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/rentgenospektralnij-analiz.html</link>
		<comments>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/rentgenospektralnij-analiz.html#comments</comments>
		<pubDate>Mon, 12 Apr 2010 18:12:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>OpticsToday</dc:creator>
				<category><![CDATA[Фізика твердого тіла]]></category>

		<guid isPermaLink="false">http://www.OpticsToday.com/rentgenospektralnij-analiz.html</guid>
		<description><![CDATA[Основними напрямками рентгенівської спектроскопії є визначення вмісту елементів в різних речовинах (рентгеноспектральний аналіз) та дослідження розподілу густини електронних станів за енергіями в твердому тілі (дослідження тонкої структури рентгенівських спектрів). Можливість проведення рентгеноспектрального аналізу випливає із закону Мозлі. Сутність цього закону полягає в тому, що квадратний корінь із числових значень термів для ліній спектрів випускання або [...]]]></description>
		<wfw:commentRss>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/rentgenospektralnij-analiz.html/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
		<item>
		<title>Біполярний транзистор</title>
		<link>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/bipolyarnij-tranzistor.html</link>
		<comments>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/bipolyarnij-tranzistor.html#comments</comments>
		<pubDate>Mon, 12 Apr 2010 18:10:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>OpticsToday</dc:creator>
				<category><![CDATA[Фізика твердого тіла]]></category>

		<guid isPermaLink="false">http://www.OpticsToday.com/bipolyarnij-tranzistor.html</guid>
		<description><![CDATA[Біполярний транзистор — напівпровідниковий прилад, який має два р n — переходи. Схематично будову такого транзистора показано на рис. 8-6 1. Рис. 8-6 1. Виготовляються транзистори із пластинок кремнію або германію, в яких створюються шляхом напилення три області з різною електро­провідністю. Тип провідності центральної зони, яка називається базою, відмінний від типу провідності крайніх областей, які [...]]]></description>
		<wfw:commentRss>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/bipolyarnij-tranzistor.html/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
		<item>
		<title>Провідність напівпровідникових діодів</title>
		<link>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/providnist-napivprovidnikovix-diodiv.html</link>
		<comments>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/providnist-napivprovidnikovix-diodiv.html#comments</comments>
		<pubDate>Sun, 11 Apr 2010 18:11:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>OpticsToday</dc:creator>
				<category><![CDATA[Фізика твердого тіла]]></category>

		<guid isPermaLink="false">http://www.OpticsToday.com/providnist-napivprovidnikovix-diodiv.html</guid>
		<description><![CDATA[Напівпровідникові діоди — прилади, які мають односторонню провідність. Вона зумовлюється властивостями запірного шару на межі двох напівпровідників, один з яких має електронну провідність, а другий — діркову Виготовляють германієві, селенові, купроксні та кремнієві діоди. Германієвий діод типу Д302 в одному (прямому) напрямі при падінні напруги на ньому 0,25 В пропускає струм до 1 А, а [...]]]></description>
		<wfw:commentRss>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/providnist-napivprovidnikovix-diodiv.html/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
		<item>
		<title>Вольт — амперна характеристика тунельного діода</title>
		<link>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/volt-amperna-xarakteristika-tunelnogo-dioda.html</link>
		<comments>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/volt-amperna-xarakteristika-tunelnogo-dioda.html#comments</comments>
		<pubDate>Sat, 10 Apr 2010 18:08:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>OpticsToday</dc:creator>
				<category><![CDATA[Фізика твердого тіла]]></category>

		<guid isPermaLink="false">http://www.OpticsToday.com/volt-amperna-xarakteristika-tunelnogo-dioda.html</guid>
		<description><![CDATA[При великих (1019…1021 см-3) концентраціях носіїв заряду, що досягається при великих концентраціях домішок, електрони в напівпровідниках n – типу і дірки в напівпровідниках р – типу утворюють вироджений електронний і дірковий газ. Рівень Фермі ЕF в першому випадку знаходиться в зоні провідності, а в другому випадку — в валентній зоні. Тунельний діод створений на основі [...]]]></description>
		<wfw:commentRss>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/volt-amperna-xarakteristika-tunelnogo-dioda.html/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
		<item>
		<title>Напівпровідниковий діод. p-n перехід</title>
		<link>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/napivprovidnikovij-diod-p-n-perexid.html</link>
		<comments>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/napivprovidnikovij-diod-p-n-perexid.html#comments</comments>
		<pubDate>Fri, 09 Apr 2010 18:06:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>OpticsToday</dc:creator>
				<category><![CDATA[Фізика твердого тіла]]></category>

		<guid isPermaLink="false">http://www.OpticsToday.com/napivprovidnikovij-diod-p-n-perexid.html</guid>
		<description><![CDATA[Елекгронно-дірковий (або р-п) перехід виникає при контакті напівпровідників з різним типом провідності, який здійснюється їх сплавленням, іонною імплантацією або іншими технологічними прийомами. У напівпровідникові р-типу основні носії струму — електрони, концентрація яких n. У результаті теплової генерації в ньому існують також неосновні носії заряду — дірки, концентрація яких рn, причому n&#62;&#62;рn. У напівпровідникові р — [...]]]></description>
		<wfw:commentRss>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/napivprovidnikovij-diod-p-n-perexid.html/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
		<item>
		<title>Фотоелектричні явища в напівпровідниках та характеристики напівпровідникового фотоелемента</title>
		<link>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/fotoelektrichni-yavishha-v-napivprovidnikax-ta-xarakteristiki-napivprovidnikovogo-fotoelementa.html</link>
		<comments>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/fotoelektrichni-yavishha-v-napivprovidnikax-ta-xarakteristiki-napivprovidnikovogo-fotoelementa.html#comments</comments>
		<pubDate>Tue, 30 Mar 2010 17:59:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>OpticsToday</dc:creator>
				<category><![CDATA[Фізика твердого тіла]]></category>

		<guid isPermaLink="false">http://www.OpticsToday.com/fotoelektrichni-yavishha-v-napivprovidnikax-ta-xarakteristiki-napivprovidnikovogo-fotoelementa.html</guid>
		<description><![CDATA[Суттєва різниця електронного спектра металів і напівпровідників, що описана раніше, визначає специфіку поглинання світла напівпровідниками. Розглянемо власний напівпровідник з шириною забороненої зони Eg, енергетична діаграма якого показана на рис. 8-3 1. Рис. 8-3 1 Тут Еv — верхній енергетичний рівень заповненої валентної зони. Ев —нижній енергетичний рівень вільної зони або зони провідності. ЕF — рівень [...]]]></description>
		<wfw:commentRss>http://www.opticstoday.com/katalog-statej/stati-na-ukrainskom/fizika-tverdogo-tila/fotoelektrichni-yavishha-v-napivprovidnikax-ta-xarakteristiki-napivprovidnikovogo-fotoelementa.html/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
	</channel>
</rss>

